2026.05.21
실리콘 커패시터는 반도체 공정으로 만드는 초소형 고성능 커패시터(축전기)입니다.
박막화와 Low ESL에 유리한 Silicon Capacitor.
Silicon Capacitor는 Silicon 위에 유전체/내부전극을 Stack하여 Capacitor를 형성한 제품입니다.
Wafer Grinding을 통해 두께 100㎛ 이하로 박막화가 가능하여, Package에서 두께의 제약 없이 적용이 가능합니다.
또한 Low ESL로 전원의 안정화에 유리하고, 전압과 온도변화에 높은 안정성을 가지고 있습니다.


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우선 커패시터(capacitor)는:
전기를 순간적으로 저장했다가 매우 빠르게 공급하는 부품입니다.
반도체에서는 특히:
- 전압 안정화
- 노이즈 제거
- 순간 전류 공급
에 매우 중요합니다.
예를 들어 AI GPU가 순간적으로 큰 전력을 사용할 때:
커패시터가 전압 흔들림을 막아줍니다.
전통적으로는 주로:
- MLCC
(적층 세라믹 커패시터)가 사용됐습니다.
대표 업체:
- Murata Manufacturing
- Samsung Electro-Mechanics
- Taiyo Yuden
그런데 AI 가속기 시대에는 기존 MLCC만으로 해결하기 어려운 문제가 생기고 있습니다.
왜냐하면 AI GPU는:
- 전력 소모가 매우 크고
- 전류 변동 속도가 극도로 빠르며
- 패키지 내부 공간은 매우 제한적이기 때문입니다.
예:
NVIDIA의:
- Blackwell
- Rubin
같은 AI GPU는
순간 전류 변화(dI/dt)가 매우 큽니다.
이때 커패시터가 GPU 가까이에 있어야:
전압 강하를 즉시 막을 수 있습니다.
그런데 기존 MLCC는:
- 크기가 상대적으로 크고
- 패키지 높이를 증가시키며
- 배치 공간을 많이 차지하고
- 초고주파 특성이 한계에 가까워지고 있습니다.
그래서 등장한 것이 실리콘 커패시터입니다.
실리콘 커패시터의 특징은
- 반도체 공정으로 제조
일반 MLCC는 세라믹 적층 방식인데,
실리콘 캐패시터는:
- 웨이퍼
- 박막(thin film)
- 식각
- 증착
같은 반도체 공정으로 만듭니다.
즉:
“칩처럼 만드는 커패시터”
에 가깝습니다.
- 매우 얇음
패키지 두께를 줄일 수 있습니다.
AI 가속기는:
- HBM 적층
- 인터포저
- CoWoS
- 냉각 구조
등으로 공간 압박이 심합니다.
그래서:
수십~수백 마이크론 단위의 얇은 부품이 중요합니다.
- GPU 가까이에 배치 가능
실리콘 인터포저나 패키지 기판 내부에 매우 가깝게 넣을 수 있습니다.
즉:
전력 공급 거리가 짧아집니다.
그러면:
- 전압 안정성 개선
- 전력 효율 개선
- 고속 신호 안정성 개선
효과가 생깁니다.
- 고주파 특성이 우수
AI GPU는 초고속 스위칭을 반복합니다.
실리콘 커패시터는:
- ESL(등가 직렬 인덕턴스)
- ESR(등가 직렬 저항)
이 낮아서,
초고속 전력 변동 대응에 유리합니다.
왜 AI 시대에 중요해졌나?
핵심은:
AI GPU의 전력 밀도가 폭증했기 때문입니다.
예를 들어:
- 과거 CPU: 수십~100W
- 최근 AI GPU: 1000W 이상
그리고 Rubin 이후에는:
랙 전체가 수백 kW급으로 가고 있습니다.
이렇게 되면:
“전력 안정화” 자체가 핵심 기술이 됩니다.
그래서:
- 전력반도체
- 고급 기판
- 실리콘 포토닉스
- 실리콘 캐패시터
같은 분야가 함께 성장하고 있습니다.
즉
“AI GPU가 너무 고성능·고전력이 되면서, 기존 MLCC만으로는 한계가 생기고 있고,
더 얇고 빠르고 GPU 가까이에 붙일 수 있는 실리콘 커패시터 수요가 증가하고 있다”라는 뜻입니다.
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