중국 창신메모리, 10나노 1z공정 도입(2025.01.24)

2025.01.24

참고로 디램 10나노공정은 1x-->1y-->1z-->1a-->1b-->1c공정으로 발전한다.

각 공정 차이는 1년정도의 기간이 필요하다.

 

중국 창신메모리와 하이닉스는 최소한 약3년이상의 기술 격차가 있다고 볼 수있다.

(하지만 창신메모리는 16나노 공정 수준이라는 설도 있다)

 

현재 하이닉스는 작년하반기 1c공정을 개발하고 올해 2월부터 양산에 들어갔고,

마이크론은 2025년4월 개발 예정이고, 삼성전자는 2025년6월 개발 예정이다.

 

현재 하이닉스는 10나노1b공정으로 생산된 DDR5디램을 적층하여 HBM3e 메모리를 생산하고 있으며,

올해 하반기 개발할 HBM3는 10나노 1b공정으로 생산된 디램을 사용하고.

내년 개발 예정인 HBM3e부터는 10나노1c공정으로 생산된 DDR5를 사용할 예정이다.

 

 

 

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Samsung on high alert as CXMT reportedly adopts 1z Process for DDR5 mass production

 

China's Changxin Memory Technologies (CXMT) has reportedly adopted the 1z process for its 10nm-class DDR5 production, prompting heightened concern at Samsung Electronics, which is now closely monitoring the status of advanced DRAM production in Chin...

 

중국의 창신 메모리(CXMT)가 10nm급 DDR5 생산을 위해 1z 공정을 도입한 것으로 알려지면서, 삼성전자가 이에 대한 경계를 강화하고 중국 내 첨단 D램 생산 동향을 면밀히 주시하고 있다.

 

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2025.02.15

중국 반도체, DDR5로 D램 3대장 위협하지만…EUV 없이 쉽지 않아

중국 반도체, DDR5로 D램 3대장 위협하지만…EUV 없이 쉽지 않아

 

 

CXMT, 16나노미터대 공정으로 DDR5 양산

 

10나노미터 극초반 기술인 삼성‧SK 추격

 

미세 공정에 필수적인 EUV 사용 어려워 한계

 

생산성‧수익성‧수율 모두 떨어져 대량 생산 글쎄