엔비디아, HBM3E 12단 가격 올렸다…위상 높아진 SK하이닉스(2025.05.14)
2025.05.14
엔비디아, HBM3E 12단 가격 올렸다…위상 높아진 SK하이닉스
엔비디아, HBM3E 12단 가격 올렸다…위상 높아진 SK하이닉스
엔비디아가 SK하이닉스로부터 구매하는 차세대 인공지능(AI) 칩 '블랙웰 울트라'용 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 계약 가격을 업계 예상보다 높게 책정한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면
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HBM3E 12단은 기존 8단 대비 용량과 대역폭이 각각 50% 이상 개선된 제품이다.
HBM3E 8단은 24GB(3GBx8)이고, HBM3E 12단은 36GB(3GBx12)으로 용량이 50%증가되었다.
엔비디아는 블랙웰 울트라용 HBM3E 12단 제품 대부분을 SK하이닉스로부터 공급받을 계획이다.
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2025.05.28
엔비디아와 ‘한 몸’인 SK하이닉스...HBM4 공급도, 주가도 ‘청신호’
엔비디아와 ‘한 몸’인 SK하이닉스...HBM4 공급도, 주가도 ‘청신호’
고대역폭메모리(HBM) 시장 주류 제품으로 떠오른 HBM4 시장에서도 SK하이닉스의 독주가 지속될 전망이다. 기술 선점은 물론 최대 고객사인 엔비디아에 공급 우선권 등을 확보하면서 시장 장악력을
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5월28일 반도체업계에 따르면 SK하이닉스는 6세대 제품인 HBM4 12단 공급 관련 엔비디아와의 협상이 마무리 단계에
접어든 것으로 알려졌다. 이르면 올해 4분기부터 HBM4 12단 제품을 대량 양산해 엔비디아에 공급할 것이란 전망이다.
현재 엔비디아향 HBM3E 8단과 12단 납품의 대부분을 맡고 있는 SK하이닉스는 HBM 시장에서 70%에 육박하는
점유율을 차지하고 있다.
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2025.06.01
삼성전자 HBM3E, 엔비디아 최종 검증 6월 재도전...HBM4 설계 한계
삼성전자 HBM3E, 엔비디아 최종 검증 6월 재도전...HBM4 설계 한계
차세대 AI 반도체의 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 삼성전자가 기술적 난제에 직면했다. 지난달 31일(현지시각) 새미팬즈(SammyFans)와 SEDaily 보도에 따르면, 삼성전자는 HBM3E 12단 제품의
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차세대 AI 반도체의 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 삼성전자가 기술적 난제에 직면했다.
지난달 31일(현지시각) 새미팬즈(SammyFans)와 SEDaily 보도에 따르면, 삼성전자는 HBM3E 12단 제품의 엔비디아 최종 검증을 2025년 6월 목표로 재추진 중이며, HBM4 개발은 설계 단계에서 진전이 더딘 것으로 나타났다.
2025.05.31
NewsSamsung HBM4 still in design phase as HBM3E struggles for NVIDIA qualification
삼성전자, HBM3E는 여전히 엔비디아 인증 난항… HBM4는 설계 단계
Samsung is betting big on its scale to lead in 1c DRAM and HBM. It all comes down to solving production hiccups and proving their chips are reliable. The next few months will be make-or-break for their spot in the memory game.
삼성전자는 차세대 1c DRAM과 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 기술 리더십을 확보하기 위해 대규모 투자를 이어가고 있다. 그러나 생산 과정에서의 문제 해결과 제품 신뢰성 확보가 관건으로, 향후 몇 개월이 메모리 시장 내 삼성의 입지를 결정짓는 분수령이 될 전망이다.
Besides HBM, Samsung is working hard on its next-gen 1c DRAM, and it’s seeing some solid progress. According to SEDaily, cold test yields reached 50%, and hot tests hit 60-70%. That’s above the industry’s 40% benchmark for mass production.
HBM 외에도 삼성은 차세대 1c DRAM 개발에도 박차를 가하고 있으며, 이 부문에서는 의미 있는 진전이 나타나고 있다. SEDaily 보도에 따르면, 최근 콜드 테스트 수율은 50%, 고온 테스트에서는 60~70% 수준을 기록했으며, 이는 양산 기준으로 통용되는 업계 평균 40%를 상회하는 수치다.
Last year, Samsung’s 1c DRAM yields were stuck below 30%. Vice Chairman Jeon Yong-hyun shook things up with a major redesign, which pushed back the timeline but improved efficiency. This month, the development team rolled out the first test wafer, and it’s performing well with new design tweaks.
불과 지난해까지만 해도 삼성의 1c DRAM 수율은 30% 미만에 머물러 있었다. 이에 정용현 부회장은 과감한 설계 전면 재조정을 단행했고, 이로 인해 일정이 다소 지연되기는 했지만 효율성은 크게 향상됐다. 이달에는 새로운 설계를 적용한 첫 테스트 웨이퍼가 생산됐으며, 성능도 긍정적으로 평가받고 있다.
On the HBM4 front, things are moving slower The DRAM for HBM4 is still being designed, with yields below 30% before the redesign. SEDaily says HBM4’s complex, needing 2,048 through-silicon vias and parts that can handle heat from stacking.
하지만 HBM4 개발 속도는 상대적으로 더딘 상황이다.
HBM4용 DRAM은 여전히 설계 단계에 있으며, 재설계 전까지는 수율이 30% 미만에 머물렀다. SEDaily에 따르면, HBM4는 2,048개의 실리콘 관통 비아(Through-Silicon Vias)를 포함한 매우 복잡한 구조를 갖고 있으며, 고열을 견딜 수 있는 소재와 공정이 필요해 개발 난도가 상당히 높다.
Samsung expects HBM4 test wafers by late 2025. Since the design borrows from the improved 1c DRAM, it’s hopeful about its potential. The company is also gearing up to boost production at its Pyeongtaek and Hwaseong plants.
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삼성전자, HBM4 테스트 웨이퍼는 2025년 말 예상… 평택·화성 라인 증설도 준비 중
삼성전자는 HBM4 개발에 속도를 내고 있으며, 2025년 말까지 테스트 웨이퍼 생산을 목표로 하고 있다. 이번 HBM4 설계는 최근 수율이 개선된 1c DRAM 구조를 기반으로 하고 있어, 기술적 완성도에 대한 기대감도 커지고 있다. 이를 뒷받침하기 위해 평택과 화성 생산 라인의 증설 준비도 병행 중이다.
Meanwhile, Samsung’s HBM3E 12-layer stack hasn’t cleared NVIDIA’s tests yet. SEDaily reports doubts about hitting the June deadline. Rivals SK Hynix and Micron already have NVIDIA deals, so Samsung’s share of the HBM3E market might be small.
한편, 삼성전자의 HBM3E 12단 적층 제품은 아직 엔비디아의 품질 테스트를 통과하지 못한 상태다. SEDaily 보도에 따르면, 당초 목표였던 6월 내 인증 획득 역시 불투명한 상황이다. 이미 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아와 HBM3E 공급 계약을 체결한 바 있어, 삼성전자의 HBM3E 시장 점유율은 제한적일 수 있다는 우려도 제기되고 있다.
The company has redesigned the HBM3E base die and is running tests with NVIDIA. Samsung is also ramping up 1a DRAM production for HBM3E at their Pyeongtaek factory, showing it is serious about catching up.
HBM3E 기반 다이 재설계 후 엔비디아와 공동 테스트 중… 삼성, 평택에서 1a DRAM 양산 확대
삼성전자는 HBM3E의 기반 다이(base die)를 재설계한 뒤, 현재 엔비디아와 함께 인증 테스트를 진행 중이다. 동시에 평택 공장에서는 HBM3E용 1a DRAM의 생산을 본격적으로 확대하고 있으며, 이는 경쟁사와의 격차를 좁히기 위한 강한 의지를 보여주는 행보다.
NVIDIA’s Blackwell Ultra, which uses HBM3E, might keep shipping into late 2026. If NVIDIA’s next chip, Rubin, which needs HBM4, gets delayed, demand for HBM3E could spike. That’s a chance for Samsung to step up.
엔비디아의 최신 AI GPU인 Blackwell Ultra는 HBM3E를 채택하고 있으며, 이 제품은 2026년 말까지도 출하가 이어질 가능성이 있다. 만약 차기 GPU인 Rubin의 출시가 지연된다면, HBM4 수요보다 HBM3E 수요가 더 길게 지속될 수 있다. 이런 상황은 삼성이 HBM3E 시장 점유율을 끌어올릴 수 있는 중요한 기회가 될 수 있다.