2026.01.21
TrendForce: 마이크론의 PSMC 통뤄 팹 인수, 2027년 글로벌 D램 공급 전망 개선 가능성
TrendForce의 최신 D램 산업 조사에 따르면, 마이크론은 대만 PSMC의 통뤄(Tongluo) 팹을 약 18억 달러에 인수할 계획이다.
이번 거래에는 생산 장비를 제외한 토지, 건물, 클린룸 시설이 포함되며, 향후 D램 패키징 서비스를 위한 장기 협력 관계도 함께 구축된다.
이 협업을 통해 마이크론은 첨단 공정 D램 생산 능력을 확대하고, PSMC는 성숙 공정 기반 D램 공급을 강화함으로써, 2027년을 전후로 글로벌 D램 공급 여건이 개선될 가능성이 있다는 것이 TrendForce의 분석이다.
TrendForce는 2025년 하반기부터 ASIC과 AI 추론 확산에 힘입어 HBM3e와 DDR5 수요가 빠르게 증가할 것으로 보고 있다.
이에 따라 전체 D램 수익성이 개선되면서, 마이크론은 설비 증설 속도를 한층 더 끌어올릴 것으로 예상된다.
통뤄 팹 인수는 이러한 전략의 일환으로, 마이크론은 2026~2027년에 걸쳐 기존 장비와 신규 장비를 단계적으로 투입할 계획이다. 주로 첨단 D램 제조를 위한 전공정 장비가 도입될 예정이며, 본격적인 양산은 2027년에 시작될 것으로 전망된다.
특히 2027년 하반기에 가동될 통뤄 팹 1단계 물량은,
2026년 4분기 기준 마이크론 글로벌 전체 생산능력의 10%를 넘어설 것으로 추정된다.
TrendForce 자료에 따르면, 마이크론은 2025년 3분기 기준 글로벌 D램 매출 점유율 25.7%로 업계 3위를 차지했다.
2024년 이후 AI 인프라 확산에 따라 HBM, DDR5, LPDDR5X와 같은 고부가가치 D램 제품에 대한 수요가 크게 늘어나자,
마이크론은 생산능력 확대를 가속화하기 위해 다양한 설비 인수와 증설 전략을 병행해 왔다.
미국 내 ID1 팹 확장과 싱가포르 HBM 후공정 증설도 이러한 흐름의 연장선에 있다.
통뤄 팹 인수 이전에도 마이크론은 AUO로부터 타이난 지역의 두 개 팹을, AUO 크리스털로부터 타이중 팹을, 그리고 글로리텍으로부터 타이중 시설을 인수해 웨이퍼 프로브, 메탈라이제이션, HBM TSV 공정 등으로 전환해 왔다.
또한 싱가포르의 낸드 플래시 클린룸 일부를 D램 메탈라이제이션 공정으로 전환할 계획도 추진 중이다.
한편, PSMC의 현재 D램 생산은 주로 25나노와 38나노 공정에 기반하고 있어, DDR4 생산 역시 저밀도 제품에 한정돼 있다.
그러나 최근 마이크론과 체결한 LOI 이후, PSMC는 향후 1년 내 1Y 나노 공정 라이선스를 확보할 가능성이 있으며,
장기적으로는 1Z 나노 공정 라이선스 도입도 검토되고 있다.
이러한 공정 고도화가 이뤄질 경우, PSMC는 더 높은 밀도의 DDR4 제품을 생산할 수 있게 되어
소비자용 D램 시장에서 경쟁력을 유지하고 비트 출하량을 늘릴 수 있을 것으로 보인다.
동시에 마이크론의 첨단 제품 라인과 직접적으로 경쟁하지 않으면서 상호 보완적인 구조를 유지할 수 있을 것으로 분석된다.
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