삼성 파운드리

2021.05.13

삼성전자, 시스템반도체에 171조원 투자 파운드리 공정 연구개발·시설투자 가속화 – Samsung Newsroom Korea

 

삼성전자가 ‘시스템반도체 비전 2030’ 달성을 위해 투자를 대폭 확대한다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 ‘K-반도체 벨트 전략 보고대회’에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

 

□ ‘시스템반도체 비전 2030’ 투자 계획, 133조원에서 171조원으로 확대

시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 ‘시스템반도체 비전 2030’ 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자하고 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 더욱 박차를 가한다.

 

2019년 4월 정부는 삼성전자 화성사업장에서 ‘시스템반도체 비전 선포식’을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 이때 ‘시스템반도체 비전 2030’을 제시하며 133조원 투자계획을 발표했다.

비전 선포식 이후 지난 2년간 삼성전자를 비롯한 반도체 제조 기업과 팹리스, 공급망의 핵심인 소재∙부품∙장비 업체,

우수 인재 육성을 담당하는 학계 등 우리나라 반도체 생태계 주요 구성원 간의 상호 협력이 활성화되며 비전 달성을

위한 기반도 착실히 다져졌다.

 

최근 모든 산업영역에서 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지고 각국 정부가 미래 산업의 핵심인 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 ‘K-반도체’의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.

 

□ 2022년 하반기 평택 3라인 완공… 최첨단∙세계 최대 반도체 클러스터

2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다.

현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다.

모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

 

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

 

삼성전자는 앞으로 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 ▲또 메모리와 시스템반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’ ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 ‘CXL D램’ 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며

‘초격차 세계 1위’ 위상을 강화할 계획이다.

이날 행사에서 삼성전자 김기남 부회장은 “한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”며 “수성에 힘쓰기보다는, 결코 따라올 수 없는 ‘초격차’를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다”고 강조했다.

 

□ 반도체 생태계 육성을 위한 상생협력과 지원∙투자 강화

국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원∙투자도 더욱 확대한다.

삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등

다양한 상생 활동을 더욱 확대하고 공급망 핵심인 소재∙부품∙장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한

학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.

 

특히 파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커지고,

많은 팹리스 창업이 이뤄지며 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드되는 부가 효과를 유발한다.

 

삼성전자의 파운드리 사업 확대는 5G, AI, 자율주행 등 우리나라 미래 산업의 밑거름 역할을 할 것으로 기대된다.

삼성전자 김기남 부회장은 “지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야말로

장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때”라며 “우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히

나아갈 것”이라고 밝혔다.

------------------------

2021.06.09

삼성전자, 차세대 ‘8나노 RF 공정 기술’ 개발 – Samsung Newsroom Korea

 

삼성전자가 차세대 ‘8나노 RF(Radio Frequency) 공정 기술’을 개발하고, 5G 이동통신용 반도체 파운드리 서비스를 강화한다.

 

삼성전자는 8 나노 RF 파운드리로 멀티 채널, 멀티 안테나를 지원하는 5G 통신용 RF 칩을 원칩 솔루션으로 제공해 서브 6GHz부터 밀리미터파(mmWave)까지 5G 통신 반도체 시장을 적극 공략할 계획이다.

삼성전자는 2015년 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작한 후, 2017년 업계 최초 본격 양산을 시작한 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대했다.

 

RF 칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선 주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체로, 주파수 대역 변경과 디지털-아날로그 신호 변환을 하는 로직 회로 영역과 주파수 수신, 증폭 등의 역할을 하는 아날로그 회로 영역으로 구성된다.

 

삼성전자는 2017년부터 지금까지 프리미엄 스마트폰을 중심으로 5억 개 이상의 모바일 RF 칩을 출하하며 시장 리더십을 유지하고 있다.

삼성전자 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정 대비 RF 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있으며, 전력 효율도 약 35% 향상된다.

 

반도체 공정이 미세화될수록 로직 영역의 성능은 향상되지만, 아날로그 영역에서는 좁은 선폭으로 인해 저항이 증가하고 수신 주파수의 증폭 성능 저하, 소비전력 증가 등이 발생한다.

삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 ‘RFeFET™(RF extremeFET)’를 개발해 8나노 RF 공정에 적용했다.

특히, 삼성전자는 RFeFET™의 전자가 흐르는 통로인 채널(Channel) 주변부에 특정 소재를 적용하고, 물리적인 자극을 통해 전자 이동 특성을 극대화했다.

RFeFET™의 성능이 크게 향상돼, RF 칩의 전체 트랜지스터의 수가 줄어들어 소비전력을 줄일 수 있고, 아날로그 회로의 면적 또한 줄일 수 있다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 이형진 마스터는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 갖춰 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 것”이라며, “삼성전자는 최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장을 적극 대응해 나갈 것”이라고 말했다.

삼성전자는 초미세 공정 기술력, 안정적인 양산 체제, 파운드리 생태계 확대 등을 통해 ‘반도체 비전 2030’ 달성에 박차를 가할 계획이다.

-----------------

2020.08.30

삼성전자, 세계 최대규모 평택 2라인 가동 – Samsung Newsroom Korea

 

삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다.

 

이 라인에서는 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

 

□ D램, 낸드, 파운드리까지 생산하는 세계 최대 반도체 생산 라인

삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만 8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대규모의 반도체 생산라인이다.

평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로

만들어져 4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적인 역할을 할 예정이다

.

삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며,

6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다.

두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.

 

이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로

삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다.

 

이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4천 명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다.

 

지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다.

평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을

출하했다.

삼성전자는 평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다.

□ 차세대 스마트폰 시장 선점할 최첨단 EUV D램 본격 양산

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용되었으며, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

삼성전자는 금년 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.
※ 동작속도 : 64핀(x64, JEDEC 규격)으로 구성되는 패키지 기준 최대 51.2GB/s

또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다. 또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

------------------------------

2021.08.17

삼성·TSMC·인텔, 이번엔 '반도체 펠리클 大戰' (sedaily.com)

삼성전자 파운드리 EUV 공정에 펠리클 전면 도입 결정 - YouTube

에스앤에스텍, 삼성전자, 파운드리 EUV 펠리클 '전면 도입'에 강세 (sentv.co.kr)

[서울경제TV=배요한기자] 삼성전자가 펠리클 적용 범위를 대폭 확대한다는 소식에 에스앤에스텍이 강세다.

 

9일 오후 3시 13분 현재 에스앤에스텍은 전 거래일 대비 6.37% 오른 3만5,900원에 거래되고 있다.

 

이날 업계에 따르면 삼성전자는 반도체 극자외선(EUV) 노광 공정에 도입하기로 한 펠리클 적용 범위를 바꾼 것으로 알려졌다. CPU와 GPU 등 큰 칩에만 적용하려던 계획을 모든 칩 생산에 적용한다는 방침이다. 이는 삼성전자 최시영 파운드리사업부 사장의 특별 지시로 이뤄졌다.

 

이에 펠리클과 EUV용 블랭크마스크 관련 업체인 에스앤에스텍이 주목받는 것으로 풀이된다.

 

에스앤에스텍은 1세대 실리콘 기반 EUV 펠리클을 출시한 이후 지난 1분기 양산 공정 단계에 이를 적용한 것으로 알려졌다. 2022년과 2023년에 사용될 미세공정에 대응하기 위한 메탈, 나노 소재 기반 2·3세대 EUV 펠리클 개발도 진행하고 있다. /byh@sedaily.com