광 트랜시버(2025.02.07)-오이솔루션/브로드컴(2025.02.07)

2025.02.07

 

오이솔루션

 

 

 

다음은 오이소루션의 일봉,주봉과 월봉 그래프.

 

 

 

 

 

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2025.02.05

DRAMeXchange - 【Market View】DeepSeek's Low-Cost AI Model to Spur Demand for Optical Communication, with Optical Transceiver Shipments Projected to Grow by 56.5% in 2025, Says TrendForce

 

DeepSeek's Low-Cost AI Model to Spur Demand for Optical Communication, with Optical Transceiver Shipments Projected to Grow by 56.5% in 2025, Says TrendForce

 

DeepSeek의 저비용 AI 모델이 광통신 수요 촉진, 2025년 광 트랜시버 출하량 56.5% 증가 전망 – TrendForce

 

While DeepSeek has successfully reduced AI training costs, the broader cost reduction of AI models is expected to expand application scenarios and drive an increase in global data center deployments.

 

DeepSeek이 AI 훈련 비용을 성공적으로 절감한 가운데, AI 모델의 전반적인 비용 절감이 다양한 응용 시나리오를 확대하고 전 세계 데이터 센터 구축 증가를 견인할 것으로 예상된다. 

 

Optical transceivers, as a key component in data center interconnectivity, are set to benefit from the growing demand for high-speed data transmission. AI servers rely heavily on optical transceivers to convert electrical signals into optical signals, transmit them via optical fiber, and then convert received optical signals back into electrical signals.

 

데이터 센터의 핵심 연결 장치인 광 트랜시버는 고속 데이터 전송 수요 증가에 힘입어 수혜를 볼 전망이다. AI 서버는 전기 신호를 광 신호로 변환하고, 이를 광섬유를 통해 전송한 뒤, 다시 수신된 광 신호를 전기 신호로 변환하는 데 광 트랜시버를 필수적으로 사용한다.

 

TrendForce reports that worldwide shipments of 400G and higher optical transceivers reached 6.4 million units in 2023. This figure is expected to grow to 20.4 million units in 2024 and exceed 31.9 million units in 2025, representing an annual growth rate of 56.5%.

 

TrendForce에 따르면, 전 세계적으로 400G 이상의 광 트랜시버 출하량은 2023년 640만 개를 기록했으며, 2024년에는 2,040만 개, 2025년에는 3,190만 개를 초과할 것으로 예상된다. 이는 연평균 성장률 56.5%에 해당하는 수치이다.

 

TrendForce notes that DeepSeek and CSPs, along with AI software companies, will further drive AI adoption, particularly as vast amounts of data generation shift to the edge. This transition means that factories, wireless base stations, and other industrial sites will require a significant increase in micro data center deployments. Optical transceivers will need to be deployed at a much higher density to support this shift, potentially increasing the number of optical communication nodes per factory by 3 to 5 times compared to traditional architectures. 

 

TrendForce는 DeepSeek 및 클라우드 서비스 제공업체(CSP)와 AI 소프트웨어 기업들이 AI 도입을 더욱 촉진할 것으로 전망했다. 특히, 방대한 데이터 생성이 엣지(Edge)로 이동함에 따라, 공장, 무선 기지국 및 기타 산업 현장에서 마이크로 데이터 센터 구축이 크게 증가할 것이다. 이를 지원하기 위해 광 트랜시버의 배치 밀도가 대폭 증가해야 하며, 기존 아키텍처 대비 공장당 광통신 노드 수가 3~5배 증가할 가능성이 있다.

 

Compared to traditional electrical signal transmission, fiber-optic communication offers higher bandwidth, lower latency, and reduced signal attenuation, meeting the stringent performance requirements of AI servers. These advantages make optical communication indispensable for AI infrastructure, driving the growth of 800Gbps and 1.6Tbps optical transceivers. Upgraded traditional servers are also fueling demand for 400Gbps modules.

 

전통적인 전기 신호 전송과 비교할 때, 광섬유 통신은 더 높은 대역폭, 낮은 지연 시간, 신호 감쇠 감소 등의 장점을 제공하여 AI 서버의 엄격한 성능 요구 사항을 충족한다. 이러한 장점으로 인해 광통신은 AI 인프라에 필수적인 요소가 되고 있으며, 800Gbps 및 1.6Tbps 광 트랜시버의 성장을 견인하고 있다. 또한, 기존 서버의 업그레이드가 진행되면서 400Gbps 모듈에 대한 수요도 지속적으로 증가하고 있다.

 

Optical transceivers consist of critical components including laser diodes, modulators, and photo detectors. Laser diodes generate optical signals, modulators encode electrical signals onto these optical signals, and photo detectors convert received optical signals back into electrical signals.

광 트랜시버는 레이저 다이오드, 변조기, 광 검출기 등의 핵심 구성 요소로 이루어져 있다.

레이저 다이오드는 광 신호를 생성하고, 변조기는 전기 신호를 이 광 신호에 인코딩하며, 광 검출기는 수신된 광 신호를 다시 전기 신호로 변환하는 역할을 한다.

 

In high-speed applications, EML (Electro-absorption Modulated Laser) diodes are favored for their modulation capabilities. However, the complexity of achieving single-channel transmission speeds of 100Gbps or even 200Gbps presents significant technical barriers. Suppliers of EML lasers are predominantly major U.S. and Japanese players like Broadcom, Coherent, and Lumentum, who largely keep production in-house rather than outsourcing.

 

고속 애플리케이션에서는 EML(전기흡수 변조 레이저, Electro-absorption Modulated Laser) 다이오드가 뛰어난 변조 성능으로 인해 선호된다. 그러나 단일 채널에서 100Gbps 또는 200Gbps의 전송 속도를 달성하는 것은 상당한 기술적 난관을 수반한다. Broadcom, Coherent, Lumentum과 같은 미국 및 일본의 주요 기업들이 EML 레이저 시장을 주도하며, 이들 기업은 대부분 생산을 자체적으로 수행하고 외부 위탁 생산을 최소화하고 있다.

 

In silicon photonics (SiPh) modules, continuous wave (CW) lasers only provide the light source, while SiPh handles modulation and wavelength division. This has enabled Taiwanese firms to enter the CW laser supply chain. For instance, Landmark Optoelectronics collaborates with international data center operators for CW laser production, while Taiwanese companies such as LuxNet, and Truelight leverage their expertise in laser chip manufacturing for CW lasers.

 

실리콘 포토닉스(SiPh) 모듈에서는 연속파(CW) 레이저가 단순히 광원 역할을 담당하고, SiPh가 변조 및 파장 분할을 수행한다. 이러한 방식은 대만 기업들이 CW 레이저 공급망에 진입하는 기회를 제공했다. 예를 들어, Landmark Optoelectronics는 국제 데이터 센터 운영업체들과 협력하여 CW 레이저를 생산하고 있으며, LuxNet과 Truelight 같은 대만 기업들은 레이저 칩 제조 전문성을 활용해 CW 레이저 시장에 진입하고 있다.

 

Photo detectors are primarily supplied by U.S. and Japanese firms that already dominate the laser diode market, such as Broadcom, Coherent, Lumentum, and Hamamatsu. However, as optical module transmission speeds increase to around 200G, the challenges for photo detectors are becoming more pronounced.

 

광 검출기(Photo Detector) 시장은 이미 레이저 다이오드 시장을 지배하고 있는 Broadcom, Coherent, Lumentum, Hamamatsu와 같은 미국 및 일본 업체들이 주도하고 있다. 그러나 광 모듈의 전송 속도가 200Gbps 수준으로 증가함에 따라 광 검출기 성능 향상에 대한 기술적 난제도 커지고 있다.

 

The performance of photo detectors hinges on their sensitivity to incoming light. As a result, factors such as the uniformity of material doping and structural defects in the epitaxial layer can significantly impact the efficiency of light collection. For 200G-per-lane Avalanche Photodiode detectors (APD), Broadcom currently handles full in-house production. Meanwhile, Coherent’s 100G APDs and Lumentum and Hamamatsu’s 200G APDs are outsourced Epitaxy to US-based IET for epitaxy wafer manufacturing.

 

광 검출기의 성능은 입사광에 대한 감도에 크게 좌우된다. 특히, 반도체 도핑의 균일성, 에피택셜 층의 구조적 결함 등은 광 신호 수집 효율성에 직접적인 영향을 미친다. 200G급 APD(Avalanche Photodiode) 검출기의 경우, Broadcom은 전 공정을 자체적으로 수행하고 있으며, Coherent의 100G APD, Lumentum 및 Hamamatsu의 200G APD는 미국 **IET(Integrated Epitaxial Technology)**에 에피택셜 웨이퍼 생산을 외주하고 있다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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2025.02.06

 

 

 

 

 

다음은 브로드컴의 연도별 손익계산서

 

 

다음은 분기 손익계산서