중국 창신메모리 DDR5 생산 어려움(2025.11.08)

2025.11.08

중국 창신메모리가 DDR5 디램 생산에 누설 전류 문제등으로

어려움을 겪고있다는 루머가 있습니다.

 

“미세화에서 생기는 누설 전류·온도 안정성·수율 이슈를 잡는 레시피·장비·데이터의 3종 세트”가 삼성·SK하이닉스·Micron에는 있고, CXMT는 아직 축적이 부족하기 때문입니다.

왜 선두 3사는 되는데 CXMT는 어려운가

1. 공정·장비 격차

• 최신 DRAM은 초미세 패터닝(다중 패터닝/정밀 오버레이)과 DUV immersion·(EUV는 로직 위주) 장비의 유지보수·세팅 노하우가 관건입니다. 중국향 장비·서비스 제한은 레시피 최적화 속도를 늦춥니다. 이런 제약은 누설·변동성 관리에 직격탄이에요. Reuters+2Reuters+2

1. 소자·재료 레시피(고k 유전체·MIM 커패시터)

• DRAM 셀은 MIM 커패시터 유전체 누설이 조금만 커져도 데이터 유지가 무너집니다. 고k(HfO₂계) 유전체의 증착(ALD), 산소 어닐(PDA), 결정화/밀도 변화까지 원자층 수준으로 제어해야 해요. 선두 3사는 이런 공정-재료 레시피와 메트롤로지(결함계·전기특성) 데이터베이스가 방대합니다. Cambridge University Press & Assessment+2ScienceDirect+2

1. DTCO·회로/알고리즘 보완

• 셀 누설·간섭을 회로/펌웨어에서 보완(예: 타깃 로우 리프레시(TRR), 동적 리프레시·보정)하려면 수년치 결함·온도·사용 패턴 데이터와 IP가 필요합니다. 선두 3사는 서버 벤더와의 장기 실사용 데이터가 많아 보정이 민첩합니다. arXiv+1

1. 수율·신뢰성 학습곡선

• CXMT는 DDR5 양산 지연, 수율/열 안정성 초기 이슈 보도가 있었죠. 이런 단계에서는 누설·온도 마진을 키우기 위한 공정·설계 튜닝이 계속 필요합니다. 반면 선두 3사는 세대 전환 때마다 대량의 웨이퍼·필드 데이터로 빠르게 수렴합니다. Tom's Hardware+2DIGITIMES Asia+2

1. 인증·고객 생태계

• 대형 OEM/클라우드(서버·모바일) 인증 루프를 많이 돌려 본 경험이 누설·온도·리프레시 마진을 “현장 기준”으로 끌어올립니다. 이건 공개 자료로 일일이 증명되진 않지만, 10여 년 이상 축적된 각 사의 품질 시스템·표준화 참여로 나타납니다. (일반적 업계 사실)

관련 보도/자료(핵심만)

• CXMT DDR5 양산 지연(수율·열 안정성 언급). Tom's Hardware
• 60℃ 이상 불안정·저온 이슈 보도(대만 매체). DIGITIMES Asia
• 고k 유전체 누설이 DRAM 작동에 미치는 영향(학술 리뷰/연구). Cambridge University Press & Assessment+1
• TRR 등 DRAM 신뢰성/보안 취약·보완 메커니즘 연구. arXiv+1
• 대중국 장비·서비스 제약(ASML 관련). Reuters+1

CXMT to scrap DDR4 in policy-fueled pivot—DDR5 deluge may follow

 

 

중국의 DRAM 제조사 창신메모리(ChangXin Memory Technologies, CXMT)가 DDR5 DRAM의 본격 양산 시점을

2025년 말로 미룬 것으로 보인다.

 

생산 일정이 지연되었음에도 불구하고, 이 회사는 중국 정부의 강력한 지원을 받고 있기 때문에 중장기적으로는

글로벌 메모리 시장에 상당한 영향을 미칠 수 있는 플레이어로 여전히 주목받고 있다.

 

여러 산업 관계자들의 전언에 따르면, CXMT는 DDR5 제품의 수율 확보와 공정 안정성 문제 때문에 양산 단계로 넘어가는 데 예상보다 더 많은 시간이 필요한 것으로 알려졌다.

 

특히, 온도 변화 조건에서의 셀 안정성, 전력 효율, 신호 무결성 등

미세 공정에서 발생하는 핵심 기술 요소들의 완성도가 아직 충분히 검증되지 않은 점이 주된 원인으로 지적되고 있다.

 

그럼에도 불구하고, CXMT는 중국 내 DRAM 자립 전략의 핵심 기업으로 꼽히고 있으며, 중앙 및 지방 정부, 투자 펀드,

반도체 장비 공급망의 직접적인 자금 및 정책 지원을 받고 있다.

 

이러한 지원은 CXMT가 더 많은 연구·개발 비용을 투입하고 생산 역량을 확장할 수 있는 기반이 되고 있다.

 

따라서 양산 일정이 다소 늦춰졌음에도, 시장 분석가들은 CXMT가 중장기적으로 DDR5 및 차세대 메모리 기술 경쟁에서

‘무시할 수 없는 존재’로 성장할 가능성이 크다고 보고 있다.

 

특히, 중국 내 AI 서버, 데이터센터, 엣지 컴퓨팅 수요가 빠르게 증가하고 있는 상황에서, 국내 DRAM 공급 능력의 확보는

전략적 가치가 매우 높다는 평가가 이어지고 있다.

 

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중국 내 메모리 시장에서 장강저장(长江存储, YMTC)의 주요 경쟁사인 창신메모리(长鑫存储, CXMT)는 이미 HBM 칩 개발에 나서고 있다. 보도에 따르면 장강저장은 현재 우한(武汉)에 건설 중인 신규 웨이퍼 공장의 일부 생산 능력을 향후 DRAM 생산 라인으로 전환하는 방안을 검토하고 있다.

 

해외 매체는 업계 관계자를 인용하여, 장강저장(YMTC)이 현재의 낸드 플래시 중심 사업에서 DRAM 및 고대역폭 메모리(HBM) 영역까지 확대할 의사를 갖고 있다고 전했다. 또한 장강저장은 우한에 신설 중인 반도체 생산시설의 일부 라인을 DRAM 생산용으로 구성하는 방안을 검토하고 있는 것으로 알려졌다.

 

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왜 선두 3사는 가능하고 CXMT는 어려운가

1. 공정·소재의 미세 최적화 깊이

• DRAM 셀은 커패시터 유전체 누설, 트랜지스터 채널·게이트 누설, 비트라인/워드라인 간 섬락까지 누설 경로가 다층적이에요.
  
  
• 선두 3사는 ALD 유전체 스택(예: 고유전율 high-k 적층, 인터페이스 조성), 핀/게이트 프로파일, 스페이서·라이너의 스트레스 제어, 저온 어닐 등 공정 파라미터를 수천 단계에서 “동시에” 다룹니다.
  
  
• 미세 리소그래피(멀티패터닝), 에치 미세거칠기(Ra), 금속저항·컨택 접촉저항 등에서 누설의 ‘롱테일’을 줄이는 레시피가 세대별로 축적되어 있습니다.

1. DTCO와 회로·설계 기법의 저변

• 셀 설계와 공정을 맞물려 최적화하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization) 역량이 핵심이에요.
  
  
• 셀 크기를 줄이면서도 리텐션 분포의 꼬리(Tail)와 워스트-케이스 비트를 줄이기 위해 온다이 ECC, 리프레시 알고리즘, 셀 어레이 레이아웃, 센스앰프 마진 튜닝을 함께 다듬습니다.
  
  
• 선두 3사는 IP·라이브러리·시뮬레이션 모델(디바이스·회로·열·변동성) 축적이 방대합니다.

1. 계측·메트롤로지와 수율 엔지니어링

• 누설 전류 문제는 공정변동의 미세한 꼬리에서 주로 터집니다. 이를 잡으려면 KLA/APPLIED/LAM류의 고급 CD-SEM, e-Beam 리뷰, 전기적 파라미터 맵핑, 디펙트 분류 AI, 파라메트릭 테스트 데이터 레이크가 필요합니다.
  
  
• 선두 3사는 웨이퍼 수준 BIST/BISR, 리던던시 할당, 스크린 규칙, 번인 조건, PVT 코너별 가혹시험을 통한 “결함-서명 라이브러리”가 성숙해 있죠.

1. 장비·소재 접근성과 제재 리스크

• 최신 패터닝, ALD 유전체 전구체, 플라즈마 에치, 저온 어닐, 하이엔드 포토레지스트·하드마스크, 불화계 식각가스 등 서플라이 체인은 누설 제어에 직결됩니다.
  
  
• CXMT는 일부 첨단 장비·소재 접근에 제약이 있고, 대체 장비로 동일한 공정 윈도우를 뽑아내기까지 시간이 더 걸립니다.

1. 대규모 양산에서의 학습속도(learning rate)

• DRAM은 “대량 출하 → 현장 리턴·RMA·필드 데이터 → 피드백” 사이클이 품질을 끌어올립니다.
  
  
• 선두 3사는 연 수억 개 모듈·수천만 장 디바이스 단위의 필드 데이터가 누적되어, 온도·전압·주파수·스트레스별 누설 패턴을 세밀하게 알고 있습니다. CXMT는 이 규모의 데이터가 아직 제한적입니다.

1. 패키징·열·전력 무결성까지 포함한 시스템 최적화

• HBM/DDR5 시대에는 패키징(인터포저, 언더필, TIM), 전력 무결성, 발열 분포가 셀 리텐션·누설에 간접 영향(국부 온도 상승, IR drop)을 줍니다.
• 선두 3사는 고객 플랫폼(서버·모바일)과 공동으로 SI/PI/열 해석을 돌려 마진을 ‘시스템 레벨’에서 확보합니다.

1. 인증·고객 밸리데이션 에코시스템

• 빅서버·모바일 OEM의 혹독한 밸리데이션(롱런, 코너 케이스, JEDEC 마진 초과 시험)을 통과하며 결함 메커니즘을 구조적으로 제거해왔습니다.
  
  
• CXMT는 글로벌 메이저 고객 풀과 그 시험 레지임이 아직 얕고, 그만큼 결함 모드의 조기 포착·교정 사이클이 느릴 수밖에 없습니다.

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2025.05.27

 

중국의 대표적인 DRAM 제조사인 **창신메모리(长鑫存储, ChangXin Memory Technologies, CXMT)**가 2026년 중반을 전후해 서버·PC용 DDR4 제품 생산을 단계적으로 중단할 계획을 준비하고 있는 것으로 알려졌다.

 

CXMT는 DDR5와 HBM(고대역폭 메모리) 중심으로 사업 포트폴리오를 빠르게 재편하고 있는데, 일부 분석가들은 이러한 전환이 차세대 DRAM 공급 과잉을 초래해 시장 가격 변동성을 키울 수 있다고 경고하고 있다.

 

한편, 삼성전자(Samsung Electronics)와 SK하이닉스(SK hynix) 역시 구세대 공정 기반 DDR4 생산을 축소하고 있어 단기적으로 DDR4 공급은 빠듯한 상황이다. 그 영향으로 중국 시장에서 난야(Nanya)의 8Gb DDR4 칩 가격은 약 1달러대에서 2.50달러 수준으로 두 배 가까이 상승한 것으로 전해진다. 이 역시 CXMT의 DDR4 생산 중단설이 가격 급등의 배경으로 작용한 것으로 풀이된다.

CXMT의 급격한 부상, DRAM 시장 구도를 흔들다

DRAM 시장은 오랫동안 삼성전자·SK하이닉스·마이크론(Micron) 3사가 주도해 왔다. 하지만 미국의 장비·기술 수출 제한 속에서도 CXMT는 공격적으로 생산 능력을 확대하며 시장 구도에 변화를 일으키고 있다.

 

CXMT는 과거 시장 점유율이 2% 수준에 불과했으나, 2025년 말에는 월 28만 장 규모의 웨이퍼 투입량에 도달할 것으로 전망되며, 상황에 따라 30만 장(전 세계 DRAM 생산의 약 15%)까지 확대될 여지도 있다.

 

또한 CXMT는 2024년 말 DDR4 양산을 시작한 지 얼마 되지 않았음에도, 2025년 3분기에는 DDR4 EOL(End-of-Life) 공지를 할 것이라는 전망이 나온다. DDR4 → DDR5 전환 속도가 업계 예상을 크게 뛰어넘고 있다는 평가다.

 

업계 소식통에 따르면, 이러한 급격한 전략 수정은 중국 정부의 산업 정책 방향과 AI·클라우드 인프라 집중 육성 기조가 직접적인 배경으로 작용한다. CXMT는 HBM 개발도 병행 중이며, HBM3 검증을 연내 완료하는 것을 목표로 하고 있다.

DDR5 품질 이슈와 수율 문제는 여전히 남아있다

CXMT가 2024년 말 DDR4 생산을 확대했을 때, 대만 유통망을 활용해 인도 등지에 공격적으로 공급하면서 시장 가격이 급락하기도 했다. 그러나 이후 정책 기조가 전환되며 DDR4 철수가 시작되었고, 중국 내 DDR4 물량은 사실상 시장에서 급격히 사라졌다. 이로 인해 중국 내 DDR4 가격은 큰 폭으로 상승했다.

 

CXMT는 2025년 말까지 DDR5가 전체 생산량의 60% 이상을 차지하는 구조로 전환할 것으로 전망된다. 스마트폰용 LPDDR4/5 생산도 함께 나올 것으로 보인다. 다만 일부 DDR4 라인은 중국 반도체 업체인 ‘기가디바이스(GigaDevice)’에 공급하기 위해 제한적으로 유지될 예정이다.

 

반면 삼성전자와 SK하이닉스는 **EUV 공정이 필요하지 않은 1z nm급 공정 라인을 활용해 DDR4 생산을 ‘소량 유지’**하며, 임베디드·가전·산업용 수요를 대응하고 있다.

 

한편, CXMT의 DDR5 시제품은 2025년 1분기 검증 과정에서 주요 테스트를 통과하지 못했다는 보고도 있다.
중국 내 일부 브랜드가 6,400 MT/s DDR5 게이밍 메모리 모듈을 판매하고 있지만, 고성능 라인업은 여전히 한국산 칩에 의존하고 있다는 지적도 나온다.

 

열 안정성 테스트에서는 CXMT DDR5가 60°C를 넘어가면 동작 안정성이 흔들리는 현상이 확인되었다.
반면 삼성전자의 DDR5는 –40°C ~ 85°C 환경에서 안정 동작이 가능한 수준이다.
특히 영하 환경에서의 안정성 부족은 서버·데이터센터 환경에서 큰 리스크로 평가된다.

결론 — 가격 전쟁 가능성까지

품질·수율 이슈가 남아 있음에도 CXMT의 DDR5 생산 확대는 되돌릴 수 없는 방향으로 보인다.

중저가 DRAM 시장부터 CXMT 물량이 대량으로 풀릴 가능성이 높으며, 이는 글로벌 DDR5 가격 변동성과 공급 균형에 영향을 줄 것이라는 우려를 낳고 있다.

 

현재 글로벌 시장에서는 2025년 중반까지 DDR5 공급이 타이트한 상태가 유지될 전망이지만,
중국발 대량 공급이 본격화되면 시장 균형이 흔들릴 수 있다.

 

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2025.11.08

 

"현재 글로벌 시장에서는 2025년 중반까지 DDR5 공급이 타이트한 상태가 유지될 전망이지만,
중국발 대량 공급이 본격화되면 시장 균형이 흔들릴 수 있다.-2025.05.27)

 

위 기사는 지난 5월 기사로 DDR5의 공급 과잉을 우려했으나 지난5월 DDR5-16Gb 현물 가격는

6달러 수준이었으나 현재 2025년11월7일 현물가는 20.93달러에 달한다.

 

전문가들은 공급 부족으로 가격 상승이 최소 2026년말까지는 이어질 것으로 예상했다.

 

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China's CXMT reportedly delays mass production of DDR5 chips to late 2025 — state-backed manufacturer could still be disruptive market force | Tom's Hardware

 

중국의 CXMT, DDR5 양산을 2025년 말로 연기 — 국영 지원을 받는 이 업체는 여전히 시장을 흔들 잠재력이 있다
뉴스
작성자: Anton Shilov, 2025년 7월 23일

 

Quality is on par with Nanya, but yields are around 50%.

품질은 난야(Nanya)와 비슷한 수준이지만, 수율은 약 50% 정도에 머물러 있다.

 

 

중국 최대 DRAM 공급업체인 ChangXin Memory Technologies(CXMT)가 2026년 중반까지 서버·PC용 DDR4 제품을 단계적으로 중단할 계획이라는 보도가 나왔다.

 

회사가 DDR5와 고대역폭 메모리(HBM)로 방향을 전환함에 따라, 애널리스트들은 차세대 DRAM 물량이 시장에 쏟아져 나와 공급 과잉이 심화될 위험을 경고하고 있다.

 

삼성전자와 SK하이닉스도 구형 공정의 생산을 축소하면서 단기적으로 DDR4 공급이 빡빡해졌다. 그 여파로 가격이 급등했는데, 중국에서 난야(Nanya) 브랜드의 8Gb DDR4 칩 가격은 소문에 따른 CXMT의 DDR4 철수설까지 겹치며 2.50달러로 두 배 뛰었다.

 

급부상한 CXMT, DRAM 판도를 뒤흔들다
미국의 수출 규제로 첨단 장비 접근이 제한된 상황에서도, CXMT는 전례 없이 빠른 속도로 생산을 확대하며 삼성·SK하이닉스·마이크론이 지배해온 글로벌 DRAM 3강 구도를 흔들고 있다.

 

점유율 2%에서 출발했던 CXMT는 2025년 말까지 월 28만 장(상향 시 30만 장)의 웨이퍼 처리 능력에 도달할 것으로 전망되며, 이는 전 세계 DRAM 생산의 최대 15%에 해당한다.

 

확장을 가속하는 동시에 DDR5로의 전환도 빠르게 진행 중이다. CXMT는 2024년 말에서야 DDR4 양산을 시작했지만,

이미 2025년 3분기에 단종(EOL) 공지를 낼 것으로 예상된다. 이처럼 빠른 전환과 라인 재투입 속도는 업계를 놀라게 했다.

 

업계 소식통에 따르면 이러한 급격한 변화는 베이징이 AI·클라우드 인프라와 같은 국가적 목표에 맞춰 핵심 반도체 기업의 발맞춤을 촉구하는 정책에 기반한다. CXMT는 HBM도 우선순위에 두고 있으며, 연말 전에 HBM3 인증을 목표로 하고 있다.

 

생산은 늘지만 남는 DDR5 품질 우려
CXMT의 2024년 말 DDR4 증산은 대만 유통업체를 활용한 인도 등 시장 진입과 함께 초기 가격 하락을 유발했다.

그러나 4분기 갑작스러운 정책 선회로 CXMT는 DDR4를 포기하고 DDR5에 배팅을 강화했다.

 

공식 EOL 공지가 없었음에도 DDR4 물량은 대부분 사라졌고,

이로 인해 중국 내에서 난야 8Gb 칩 가격은 1달러대 초반에서 2.50달러로 급등했다.

 

2025년 연말까지 DDR5는 CXMT 생산의 60% 이상을 차지할 것으로 예상되며, 여기에 LPDDR4·LPDDR5가 더해진다. 저전력 DRAM 라인은 중국 내 스마트폰 브랜드를 주로 겨냥한다. 표준 DDR4는 단계적으로 축소하지만, 일부 라인은 소비자용 외주 생산을 위해 GigaDevice에 공급을 이어갈 계획이다.

 

한편 삼성전자와 SK하이닉스는 EUV 장비가 필요 없는 1z나노급 공정을 활용해 소비자·임베디드 용도의 제한된 DDR4 생산을 유지하고 있다.

 

CXMT의 DDR5 드라이브는 야심차지만, 품질과 수율은 여전히 과제다.

대만 관계자들은 CXMT의 2025년 1분기 DDR5 샘플이 핵심 테스트를 통과하지 못했다고 전했다.

 

중국 내에서 6,400MT/s DDR5 게이밍 모듈을 홍보하는 브랜드들조차 최고 성능 구간에서는 여전히 한국산 칩을 의존하고 있다.

 

열 시험에서는 CXMT의 DDR5 칩이 섭씨 60도(화씨 140도) 이상에서 불안정해지는 것으로 나타났는데,

이는 삼성의 –40°C~85°C(–40°F~185°F) 동작 범위에 한참 못 미친다. 영하 온도에서의 안정성 문제는 더 크며,

까다로운 환경에서의 신뢰성에 의문을 던진다.

 

그럼에도 불구하고 CXMT의 DDR5 증설은 거의 불가피해 보인다. 하위 등급 제품이 시장에 조만간 풀릴 수 있어

가격 전쟁 우려가 커지고 있다.

 

2025년 중반까지는 글로벌 DDR5 공급이 빠듯할 것으로 예상되지만,

중국발 공급 급증은 미묘한 DRAM 수급 균형을 흔들 수 있다.

 

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2025.07.23

China's CXMT reportedly delays mass production of DDR5 chips to late 2025 — state-backed manufacturer could still be disruptive market force | Tom's Hardware

China's CXMT reportedly delays mass production of DDR5 chips to late 2025 — state-backed manufacturer could still be disruptiv

 

ChangXin Memory Technologies (CXMT) had to delay mass production of its DDR5 memory devices in a bid to improve quality to late 2025, reports Digitimes. However, it looks like the quality of the company's DDR5 ICs is now on par with that of Nanya, according to the same report. The combination of improved yields, quality, and CXMT's expanding production capacity can make not only smaller Taiwan-based vendors, but also global players worry about CXMT's impact on the market. Quality and yields plague CXMT's DDR5 In an unexpected turn of events, CXMT reportedly began to produce its DDR5 memory late last year, which made the industry worry that the China-based DRAM maker planned to flood the market with cheap DDR5 ICs. Later on, it was revealed that CXMT was using an outdated (presumably its 4th Generation DRAM node) process technology to make its 16 GB DDR5 devices, which is why they were 40% larger compared to 16 GB DDR5 ICs produced by Samsung. This meant that CXMT's DDR5 DRAMs are significantly costlier to build compared to DDR5 chips by Samsung, which makes flooding the market with such devices particularly hard and unprofitable. But costs were not the only reported issues with CXMT's DDR5 chips. Early testing of CXMT's DDR5 samples in early 2025 allegedly exposed stability issues at around 60°C (a common temperature for DDR5 memory modules in tightly packed systems) and also problems with operation at sub-zero temperatures. These issues prevented modules based on CXMT's DDR5 ICs from meeting reliability standards. As a result, CXMT reportedly had to change the design of their DDR5 devices to a degree that it had to make new photomasks (a costly process), which reportedly solved problems with operating at high or low temperatures.

 

 

Digitimes의 보도에 따르면, 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 DDR5 메모리 제품의 품질을 개선하기 위해 양산 일정을 2025년 하반기로 연기할 수밖에 없었던 것으로 전해진다. 다만 같은 보도에 따르면, 현재 CXMT의 DDR5 IC 품질은 대만의 난야테크놀로지(Nanya)와 거의 대등한 수준에 도달한 것으로 평가되고 있다.

 

수율과 품질이 동시에 개선되고, 여기에 CXMT의 생산능력 확대까지 더해질 경우, 대만의 중소 메모리 업체들뿐 아니라 글로벌 DRAM 업체들 역시 CXMT가 시장에 미칠 영향을 우려할 수밖에 없는 상황이다.

 

초기에는 CXMT의 DDR5가 품질과 수율 문제에 발목을 잡았다. 업계의 예상과 달리, CXMT는 지난해 말부터 DDR5 메모리 생산을 시작한 것으로 알려지면서, 중국 DRAM 업체가 저가 DDR5 제품을 대량으로 시장에 쏟아낼 수 있다는 우려가 확산됐다.

 

그러나 이후 밝혀진 바에 따르면, CXMT는 비교적 구형으로 추정되는 4세대 DRAM 공정을 사용해 16GB DDR5 제품을 생산하고 있었으며, 이로 인해 동일 용량의 삼성전자 DDR5 IC 대비 칩 면적이 약 40% 더 큰 것으로 나타났다.

 

이는 CXMT의 DDR5 DRAM이 삼성 제품보다 제조 원가가 상당히 높다는 것을 의미하며, 이러한 구조에서는 저가 제품으로 시장을 대거 공략하는 전략 자체가 수익성 측면에서 쉽지 않다.

 

문제는 원가만이 아니었다. 2025년 초 진행된 CXMT의 DDR5 샘플 초기 테스트에서는 약 60도 수준의 온도에서 안정성 문제가 드러났던 것으로 전해진다. 이 온도는 고집적 시스템 환경에서 DDR5 메모리 모듈이 흔히 도달하는 수준이다.

 

여기에 더해, 영하의 저온 환경에서도 동작 문제가 발생한 것으로 알려졌다. 이러한 결함들로 인해 CXMT의 DDR5 IC를 기반으로 한 메모리 모듈은 신뢰성 기준을 충족하지 못했다.

 

결국 CXMT는 DDR5 제품 설계를 상당 부분 수정해야 했고, 그 과정에서 비용 부담이 큰 신규 포토마스크 제작까지 진행한 것으로 전해진다. 다만 이러한 설계 변경을 통해 고온 및 저온 환경에서의 동작 문제는 해결된 것으로 알려지고 있다.

 

 

이러한 문제들로 인해 CXMT는 DDR5 메모리의 양산 일정을 다시 한 번 늦출 수밖에 없었다. 업계 관계자들은 당초 2025년 5~6월경 대량 생산이 시작될 것으로 예상했지만, 7월에 이르러서도 실제 물량 출하가 이뤄졌다는 정황은 확인되지 않았다고 DigiTimes는 전했다.

 

그 배경에는 열 특성 개선에도 불구하고, CXMT 생산라인의 수율이 여전히 50%를 간신히 넘는 수준에 머물러 있기 때문이다. 이는 범용 DRAM으로 보기에는 받아들이기 어려운 수치다.

 

DigiTimes가 인용한 공급망 소식통들은 CXMT가 업계 평균에 근접한 수율을 달성하기 위해서는 추가적인 공정 개선과 생산 경험 축적이 필요하며, 이로 인해 양산 시점은 더 늦춰질 가능성이 크다고 지적했다. 현재로서는 CXMT가 2025년 말에야 본격적인 대규모 DDR 생산을 목표로 하고 있는 상황이다.

 

한편 품질 측면에서는 분명한 진전이 나타나고 있다. 최근 진행된 CXMT의 DDR5 모듈 테스트 결과에 따르면, 품질과 성능이 대만의 난야테크놀로지와 거의 대등한 수준까지 올라온 것으로 DigiTimes는 전하고 있다.

 

만약 이 제품들이 주요 PC 제조사나 메모리 모듈 업체로부터 공식 인증을 받게 된다면, 이는 CXMT가 기존 DRAM 강자들과의 기술 격차를 빠르게 좁히고 있음을 보여주는 신호가 될 수 있다. 다만 수율 문제로 인해 아직 대량 생산 단계에 진입하지 못한 만큼, 현재로서는 CXMT를 DDR5 시장에서 실질적인 경쟁자로 보기는 어렵다.

 

서방 업체들의 유지보수 철수 가능성도 거론되고 있다. CXMT가 DDR5 IC의 품질을 개선하고 수율 향상 궤도에 올라섰다고는 하지만, 여전히 해결해야 할 구조적인 과제들이 남아 있다.

 

우선 CXMT의 16GB DDR5 제품은 제조 원가 측면에서 경쟁력이 떨어진다. TechInsights에 따르면, CXMT의 G4 공정은 약 16나노미터 수준의 선폭을 갖고 있으며, 이는 삼성전자가 2021년 초 도입한 3세대 10나노급 공정과 유사한 수준이다. 이로 인해 CXMT의 DDR5 칩은 경쟁사 제품 대비 생산 비용이 더 높을 수밖에 없는 구조다.

 

 

둘째로, CXMT의 G4 제조 공정은 선폭이 16나노미터 수준이기 때문에, 해당 공정을 사용하는 메모리 칩 생산 장비에 대해 반도체 장비 업체들이 중국 내에서 유지보수를 제공할 수 없다는 점도 큰 제약 요인으로 작용한다.

 

2022년에 시행된 미국의 수출 규제에 따르면, 18나노미터보다 미세한 공정으로 DRAM을 제조하는 데 사용되거나 사용될 수 있는 웨이퍼 장비는 중국으로의 반입은 물론 유지보수 역시 금지된다.

 

이로 인해 미국, 유럽, 일본 업체들을 포함한 CXMT의 주요 공급사들이 장비 지원을 중단하거나 예비 부품 및 원자재 공급을 끊게 될 경우, CXMT가 수율을 개선하거나 DDR5 메모리를 본격적으로 양산하는 것은 매우 어려워질 수 있다.

 

그럼에도 불구하고 CXMT는 당분간 생산능력 확대를 이어가고 있다. 미국·일본·대만의 DRAM 업체들이 수익성을 유지해야만 차세대 공정과 장비에 투자할 수 있는 구조인 것과 달리, CXMT는 중국의 반도체 자립을 목표로 설계된 국가 주도 기업이다. 국가 자원을 활용할 수 있다는 점은 CXMT에 전략적 우위를 제공하며, 품질과 수율 문제를 안고 있는 상황에서도 생산능력을 지속적으로 확대할 수 있게 만든다.

 

모건스탠리는 CXMT의 2024년 생산능력을 월 기준 300mm 웨이퍼 약 17만 장(WSPM) 수준으로 추산했으며, 2025년에는 이를 월 24만 장까지 끌어올릴 계획이라고 분석했다. DigiTimes는 이보다 더 공격적인 수치를 제시하며, 2025년 말에는 월 28만 장에 도달하고, 장기적으로는 30만 장까지 확대될 여지도 있다고 전했다.

 

현재 CXMT는 생산량 확대와 동시에 품질과 수율 개선을 병행하고 있으며, 이로 인해 글로벌 주요 DRAM 업체들은 장기적으로 점점 더 큰 압박을 받을 가능성이 있다. 다만 여기에는 중요한 전제가 따른다.

 

CXMT의 생산능력 확장은 여전히 중국 외 지역에서 제조된 장비에 크게 의존하고 있다. 모건스탠리가 @Jukanlosreve를 통해 인용한 자료에 따르면, 현재 CXMT 팹에서 사용되는 장비의 국산화 비율은 약 20% 수준에 불과하다.

 

만약 미국, 유럽, 일본 업체들이 CXMT에 대한 장비 공급을 중단하고 기존 설비에 대한 유지보수까지 철회할 경우, CXMT는 향후 생산능력을 빠른 속도로 확대하기 어려워질 것이다. 더 나아가, 중국 외 장비 없이 품질과 수율을 개선하는 것 자체도 위태로워질 수 있다.

 

이론적으로는 CXMT가 중국산 반도체 장비로 전환할 수 있지만, 해당 장비를 도입하고 공정 기술을 이에 맞게 최적화한 뒤 대량 생산 체제로 안착하기까지는 수년이 걸릴 가능성이 크다.

 

그럼에도 불구하고 중국 정부로부터 사실상 무제한에 가까운 자금 지원을 받을 수 있는 CXMT는, 글로벌 DRAM 업체들에게 여전히 결코 가볍게 볼 수 없는 잠재적 경쟁자로 남아 있다.