중국 창신메모리 현황(2025.12.25)

2025.12.25

창신메모리가 올해 11월에 DDR5를 개발했다고 샘플을 보였지만

 

서버 고객 입장에서:

“이 회사 칩이 2년 뒤에도 같은 특성을 유지할지 아무도 증명하지 못했다”

이 한 문장으로 인증 탈락입니다.

 

이유는 단 하나: 메모리 오류는 데이터센터 전체를 멈춘다.

 

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보통 10나노대 기술 발전은 1x-->1y-->1z-->1a-->1b-->1c로 발전하는데,

현재 하이닉스는 HBM은 1b나노로 만들고 있으나

올 2월달에 1c나노 양산에 들어 갔고,

 

삼성전자는 올 1월에 1a나노를 재설계했고 하이닉스를 뛰어 넘기위해 1b나노는 건너 뛰고 1c나노로 HBM4를 만들고 있습니다.

 

창신메모리가 현재 1x나노대라면 1a나 1b나노대에 도달하는데 몇년이 걸릴까요?

 

ChangXin Memory Technologies(CXMT)가 현재 1x 노드에 있다면

• 1a 수준 도달: 빠르면 3~4년, 현실적으로 4~5년
• 1b 수준 도달: 빠르면 5~6년, 보수적으로 6~7년
  
  
• 단, EUV 없이 DUV만으로는 ‘명목상 노드’만 접근 가능
  → SK hynix의 1b EUV ‘실질 수준’에는 더 오래 걸림

 

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2025.12.31

China's CXMT eyes $4.2 billion Shanghai listing to fund DRAM expansion

 

중국 최대의 D램 반도체 제조업체인 창신메모리테크놀로지스(CXMT)는 화요일, 상하이 증시에서 106억 주를 상장하는 기업공개(IPO)를 통해 295억 위안(약 42억2,000만 달러)을 조달할 계획이라고 밝혔다.

 

지난달 최신 DDR5 D램 칩을 공개하며 한국과 미국 경쟁사들에 정면으로 도전장을 내민 이 회사는, 이번 상장을 통해 확보한 자금을 생산라인과 핵심 기술 업그레이드에 투입할 예정이라고 화요일 공개한 상장 예비설명서에서 설명했다.

 

이 회사는 자금의 일부를 첨단 D램(DRAM) 연구개발에도 투입할 계획이라고 덧붙였다.

 

CXMT는 2016년 국가 지원을 바탕으로 설립된 기업으로, 삼성전자와 SK하이닉스, 그리고 미국의 마이크론 테크놀로지가 주도하고 있는 글로벌 D램 시장에서 중국이 입지를 확보하기 위한 핵심 선두주자 역할을 맡고 있다.

 

알리바바와 샤오미 등 주요 투자자들이 참여한 아홉 차례의 자금 조달을 거쳐, 현재까지 네 세대에 걸친 D램 기술을 개발했다.

CXMT는 수도 베이징과 중국 동부 안후이성 허페이에 위치한 본사에서 12인치 D램 웨이퍼 팹 세 곳을 운영하고 있다.

 

상장 예비설명서에 인용된 시장조사업체 옴디아(Omdia) 자료에 따르면, **올해 2분기 기준 CXMT의 글로벌 D램 시장 점유율은 4%**에 그쳤다. 반면, 마이크론과 SK하이닉스, 삼성전자는 세 회사 합산 점유율이 90%를 넘는 수준을 차지하고 있다.

 

창신메모리는 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)처럼 생성형 인공지능(AI)용 첨단 프로세서에 필수적인 특수 D램인 고대역폭 메모리(HBM)에 대해서도 대규모 투자를 진행하고 있다.

 

회사는 중국의 상업 중심지인 상하이에 건설 중인 HBM 후공정 패키징 시설에서 2026년 말부터 생산을 시작하는 것을

목표로 하고 있다.

 

메모리 가격 상승과 7월 이후 판매 물량 확대에 힘입어, 2025년 매출은 전년 대비 최대 140%까지 증가할 것으로 회사는 예상하고 있다.

 

CXMT는 웨이퍼 출하량과 평균판매가격(ASP)에 따라 이르면 2026년에 흑자 전환이 가능할 것으로 보고 있다.

 

앞서 이 회사는
2022년에 83억2,000만 위안,
2023년에 163억 위안,
2024년에 71억 위안의 순손실을 기록했다.

 

상장 예비설명서에 따르면, 올해 상반기에도 23억 위안의 손실을 냈다.

(환율: 미화 1달러 = 6.9885위안)

(취재: Che Pan, Brenda Goh / 편집: Clarence Fernandez)

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 1) CXMT 개요 — 중국 대표 DRAM 메모리 반도체 기업

• 설립: 2016년
• 본사: 중국 안후이성 허페이
• 주력: DRAM 메모리(RAM) 설계·생산·판매 (위키백과)
• 기존에는 주로 저가형 DDR4 중심이었으나 고급 DRAM, LPDDR5X, DDR5 등 차세대 제품 개발로 방향 전환이 진행돼 왔습니다. (Businesskorea)

2) 기술 및 제품 동향

✅ 고급 메모리 제품 생산 확대

• LPDDR5X 등 최신 DRAM 제품 양산 시작
  중국 현지 언론에 따르면 CXMT는 LPDDR5X DRAM 양산을 시작하며 고속·고성능 메모리 반도체 경쟁력 강화에 나서고 있습니다. (South China Morning Post)
  
  
• DDR5 · LPDDR5X 신제품 공개
  최근 중국 국제 반도체 박람회에서 DDR5, LPDDR5X 등 차세대 DRAM 제품을 공식 공개하며 외산 제품과 유사한 성능을 목표로 하고 있음이 보도됐습니다. (마켓인)

 향후 HBM(고대역폭메모리) 양산 계획

• HBM3E 등 고대역폭 메모리 개발 중
  중국 정부 주도로 AI·고성능 컴퓨팅 대응용 HBM 제품 개발이 본격화하고 있으며, 2026년 HBM3E 양산 진입 계획이 언급되고 있습니다. (비즈니스포스트)

 3) 시장 점유율 및 글로벌 경쟁력

점유율 확대 중

• 메모리 시장 점유율 10% 이상 전망
  중국 반도체 업계와 외신들은 CXMT 제품의 중국 내외 확대로 올해 중국 메모리 시장 점유율이 10% 이상으로 확대될 수 있다는 분석이 나옵니다. (비즈니스포스트)
• 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3강 구조에 도전
  일부 보도에서는 “D램 시장 4위로 부상하면서 기술격차가 1년 이내로 좁혀질 수 있다”는 평가도 나오고 있습니다. (한국경제)

 4) 기술 유출 및 법적 이슈

한국 기술 유출 사건

• 삼성·SK하이닉스 핵심 기술 유출 혐의 기소
  최근 국내에서 삼성전자 전직 임원 및 핵심 인력이 CXMT로 이직하며 10나노급 DRAM 공정기술을 유출했다는 혐의로 기소된 사건이 크게 보도되었습니다. 검찰은 이 기술 유출이 CXMT의 고급 DRAM 양산 기반이 됐다고 분석하고 있습니다. (주간조선)
  
  
• 유출 경로와 방법 등 구체적 정황이 언론에서 상세히 보도되고 있어, 향후 기술 안보와 산업 보호 정책 논쟁이 커질 가능성이 큽니다. (YTN)

 5) 대외 환경 — 규제와 제재 가능성

• 미국의 수출 규제 및 제재 검토
  미국 정부가 CXMT를 수출통제 대상(블랙리스트·Entity List) 추가 검토 대상으로 거론된 바 있으며, 이는 첨단 제조 장비 및 기술 도입에 영향을 줄 수 있습니다. (한겨레)
  
  
• 실제로 미국 정부는 이미 연방 조달에서 CXMT 제품 사용 금지 등 제한을 두고 있습니다. (위키백과)

 6) 종합 평가 — 지금 CXMT는?

🔹 강점

• 기술 개발 속도가 빠르게 진전되고 있으며 DDR5·LPDDR5X 등 고급 DRAM 제품을 공개·양산 시작. (Businesskorea)
• 중국 정부의 전략적 지원 속에 메모리 공급 구조 다변화에 기여. (비즈니스포스트)
• 일부 시장에서는 점유율 확대 조짐. (비즈니스포스트)

⚠️ 한계·리스크

• 여전히 글로벌 최첨단 기술(삼성·SK·마이크론 대비) 완전 동등 수준에는 미치지 못한다는 평가 존재. (한국경제)
• 미국·서방의 기술 수출 규제가 걸림돌로 작용할 수 있음. (Reuters)
• 한국에서 불법 기술 유출 사건으로 인한 법적·정책적 논쟁이 악재로 부각. (주간조선)

 결론

현재 창신메모리(CXMT)는 중국 정부의 적극 지원을 바탕으로 DRAM 시장에서 빠르게 기술을 축적하고 있으며,

평가는 과거 단순 저가형 대신 차세대 고급 DRAM 및 HBM으로 확장하는 방향으로 이동하고 있는 상황입니다.

 

다만 미·한 기술보호 이슈, 제재와 글로벌 경쟁 압력이라는 중요한 리스크를 동시에 안고 있습니다. (위키백과)

 

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2025.12.23

D램 4위 오른 CXMT…韓 30년 패권에 균열 | 한국경제

D램 4위 오른 CXMT…韓 '30년 패권'에 균열

 

D램 생산능력은 마이크론과 어깨를 나란히 한다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 현재 CXMT의 웨이퍼(반도체 원판) 투입량 기준 생산능력은 월 28만 장이다. 삼성전자(월 65만5000장), SK하이닉스(월 54만5000장)의 절반에 못 미치지만 3위 마이크론(월 34만 장)과는 격차가 6만 장으로 좁혀졌다.

 

 

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2025.09.09

중국 HBM 개발 속도 높인다, CXMT 내년 HBM3E 양산으로 한국 턱밑 추격

중국 HBM 개발 속도 높인다, CXMT 내년 HBM3E 양산으로 한국 턱밑 추격

 

 

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2025.11.24

중국, 결국 일냈다…창신메모리, 프리미엄 D램 깜짝 공개

중국, 결국 일냈다…창신메모리, 프리미엄 D램 깜짝 공개

 

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2025.11.24

China Debuts Advanced DRAM, Challenges Korean Tech Leaders - Businesskorea

 

작년 말까지 창신메모리(CXMT)를 비롯한 중국 메모리 반도체 기업들의 전략은 이른바 ‘저가 물량 공세’였습니다.

이들은 DDR4와 같은 구형 D램을 저렴한 가격에 대량 생산해, 중·저가 PC와 스마트폰 시장에 공급하는 데 집중해 왔습니다.

 

그러나 올해 초 중국 정부가 ‘프리미엄 D램 개발’을 본격적으로 밀어붙이기 시작하면서 분위기가 달라졌습니다.

많은 업계에서는 이를 무리한 도전으로 평가했지만,

중국 D램 업체인 CXMT는 불과 11개월 만에 한국 제품과 유사한 성능의 고급 D램을 공개하는 데 성공했습니다.

 

CXMT는 지난 11월 23일 중국 베이징에서 열린 ‘IC 차이나 2025’ 전시회에서 DDR5와 LPDDR5X를 포함한 고급 D램 단품 7종과, 이를 활용한 모듈 제품들을 공개했습니다.

 

올해 초 선전(深圳) 반도체 유통 시장에서 중국 업체가 생산한 것으로 추정되는 DDR5 제품이 소량 유통된 적은 있었지만,

중국을 대표하는 D램 기업인 CXMT가 실제 제품을 공식 전시한 것은 이번이 처음입니다.

 

CXMT는 이날 자사의 DDR5 D램이 초당 최대 8,000메가비트(Mb)의 속도를 구현하며, 개별 칩 용량은 24기가비트(Gb)에 달한다고 밝혔다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 최신 D램 제품과 유사한 수준의 성능이다.

 

반도체 업계에서는 CXMT가 공개한 이번 D램의 성능에 주목할 필요가 있다는 평가가 나온다. CXMT가 밝힌 DDR5의 최대 속도 8,000Mb/s는 이전 세대 제품인 6,400Mb/s 대비 약 25% 향상된 수치다.

 

반도체 기업의 경쟁력을 평가할 때는 기술 로드맵, 수율(전체 생산량 대비 양품 비율), 그리고 대량 양산 능력이 핵심 기준으로 꼽힌다. 이번 신제품 공개를 계기로, 최소한 기술 로드맵 측면에서는 CXMT가 한국 D램 기업들을 따라잡았다는 평가도 나오고 있다.

 

한 반도체 업계 관계자는 “최신 중앙처리장치(CPU)와 함께 최신 서버에 적용해도 무리가 없는 성능”이라고 설명했다.

중국은 D램과 낸드플래시를 포함한 메모리 반도체 시장 전반에서 빠르게 영향력을 확대하고 있다.

 

이는 미국이 5년 넘게 강력한 반도체 기술 및 장비 수출 규제를 지속해 온 점을 고려하면 예상 밖의 결과라는 평가도 있다.

업계에서는 이를 거대한 내수 시장을 바탕으로 한 중국 정부의 전폭적인 지원과 함께,

한국·일본·대만 경쟁사들로부터 인력을 흡수한 결과로 분석하고 있다.

 

이 같은 흐름은 시장 점유율에서도 확인된다. 닛케이와 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면,

CXMT는 올해 3분기 D램 시장에서 출하량 기준 8%의 점유율을 기록하며 4위에 올랐다.

 

낸드 시장에서도 중국 업체의 존재감은 뚜렷하다. 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 같은 기간 낸드 시장에서 13%의 점유율을

기록한 것으로 집계됐다.

 

CXMT는 내년부터 최신 서버와 PC, 스마트폰에 적용될 DDR5와 LPDDR5를 본격적으로 양산할 것으로 전망된다.

CXMT의 D램 생산능력은 올해 2분기 기준 웨이퍼 투입량으로 월 27만 장 수준으로,

삼성전자(약 64만 장)와 SK하이닉스(약 51만 장)의 42~53%에 해당한다.

 

이 때문에 CXMT의 DDR5·LPDDR5X 본격 시장 진입이 반도체 슈퍼 사이클의 강도를 낮추는 요인이 될 수 있다는 분석도 나온다. 중국 내에서는 “CXMT의 신규 D램 출시가 글로벌 공급망에 새로운 선택지를 제공할 것”이라는 평가도 제기됐다.

 

이는 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 반도체 매출에도 부담으로 작용할 수 있다. 지난해 기준으로 두 회사의 중국 매출은 총 87조3천억 원으로, 합산 매출(367조7,090억 원)의 23.7%에 달했다.

CXMT 관계자는 “이번 신제품은 해외 기업 의존도를 낮출 수 있는 대안이 될 것”이라고 말했다.

 

현재 범용 D램 시장에서 한국과 중국 기업 간 기술 격차는 ‘1년 이내’로 평가되고 있다.

다만 이 격차가 유지되는 이유로는, D램 회로 미세화에 필수적인 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비 수출이

미국에 의해 차단된 영향이 크다는 분석이 지배적이다.

 

향후 변수로는 이르면 2030년부터 본격화될 것으로 예상되는 3차원(3D) D램 시대가 거론된다.

3D D램은 저장 ‘셀’을 수직으로 쌓는 방식의 차세대 메모리로, 미세화 한계에 직면한 D램 업체들이 주목하고 있는 기술이다.

 

3D D램 시대로 전환되면 EUV 장비의 필요성이 낮아질 수 있어, 이는 중국 기업들에게 ‘기회’가 될 수 있다는 관측도 나온다.

전병서 중국경제금융연구소장은 “5년 뒤 EUV가 필요 없는 공정 기술이 상용화된다면,

현재의 기술 격차는 순식간에 좁혀질 수 있다”고 말했다.

 

중국의 반도체 굴기는 낸드플래시 분야에서도 거세게 나타나고 있다. 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 올해 3분기 출하량 기준으로 글로벌 낸드 시장에서 13%의 점유율을 기록했다. 이는 삼성전자(286단)와 유사한 수준인 270단 낸드플래시를 앞세운 결과로, 일본의 키옥시아(14%)에 바짝 뒤진 4위에 해당한다.

 

업계에서는 이를 중국 정부의 전폭적인 지원 아래, 한국과 일본 등에서 영입한 1,000명 이상의 메모리 반도체 전문 인력을 투입해 벌인 전면적인 연구개발 경쟁의 결과로 보고 있다. 여기에 중국이 고급 D램의 본격 양산에 돌입할 경우, 공급 부족으로 촉발된 메모리 반도체 슈퍼 사이클의 흐름 자체를 바꿀 수 있는 중요한 변수로 작용할 것이라는 분석도 나온다.

 

서울대학교 재료공학부 황철성 석좌교수는 “메모리 기술 수준만 놓고 보면 한국과 중국 간 격차는 사실상 거의 사라졌다”고 평가하면서, “약 5년 뒤 극자외선(EUV) 노광 장비가 필요 없는 3차원(3D) D램 시대가 도래하면 중국이 한층 더 치고 나갈 가능성이 있다”고 말했다.