2021.12.24
Highlights of the day: TSMC reschedules volume production of 3nm process technology (digitimes.com)
TSMC, 3nm 공정 기술의 양산 일정 재조정
Although TSMC decided to defer the commercial production of the 3nm process to 4Q22, the company remains confident about its 3nm technology, with a 15% faster speed, 30% lower power consumption, and 70% logic density than 5nm. ABF substrate makers continue to benefit from high demands for ICs and prepare for capacity expansion in 2022. However, Taiwan companies are still looking for a breakthrough in the development of third-generation semiconductor silicon carbide (SiC).
TSMC는 3nm 공정의 상업 생산을 22년 4분기로 연기하기로 결정했지만 회사는 5nm보다 15% 더 빠른 속도,
30% 더 낮은 전력 소비 및 70% 논리 밀도를 제공하는 3nm 기술에 대해 확신을 갖고 있습니다.
ABF 기판 제조업체는 IC에 대한 높은 수요의 혜택을 계속 받고 2022년 용량 확장을 준비하고 있습니다.
그러나 대만 회사는 여전히 3세대 반도체 탄화규소(SiC) 개발의 돌파구를 찾고 있습니다.
TSMC to move 3nm process to commercial production in 4Q22: TSMC is expected to kick off commercial production of chips built using more-advanced 3nm process technology in the fourth quarter of 2022, with the initial capacity to be equally shared by Apple and Intel, according to industry sources.
TSMC, 2022년4분기에 3nm 공정을 상업 생산으로 전환:
TSMC는 2022년 4분기에 고급 3nm 공정 기술을 사용하여 구축된 칩의 상업 생산을 시작할 것으로 예상되며
초기 용량은 Apple과 Intel이 동등하게 공유할 예정입니다.
(분석: 기존에는 2022년7월경 3나노공정 양산 예정이었으나 , 4분기로 연기된 상태입니다.)
ABF substrate makers keep expanding production capacities: ABF substrate makers Unimicron Technology, Nan Ya PCB, and Kinsus Interconnect Technology have added capital expenditure to keep expanding production capacities, according to the companies.
ABF 기판 제조업체는 생산 능력을 계속 확장하고 있습니다. 회사에 따르면 ABF 기판 제조업체인 Unimicron Technology, Nan Ya PCB 및 Kinsus Interconnect Technology는 생산 능력을 계속 확장하기 위해 자본 지출을 추가했습니다.
Taiwan faces challenges in SiC development: Taiwan is currently lagging in the development of the third-generation semiconductor silicon carbide (SiC), which has grown popular for its potential applications in 5G communications, AIoT, and alternative fuel vehicles.
대만은 SiC 개발에 어려움을 겪고 있습니다. 대만은 현재 5G 통신, AIoT 및 대체 연료 차량의 잠재적인
애플리케이션으로 인기를 얻은 3세대 반도체 실리콘 카바이드(SiC) 개발에서 뒤쳐져 있습니다.
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